测试原理
l 通过软件程序控制，让 X 射线发生路产生适合的 X 射线去激发测试薄膜材料中的 Si 或者其他元素，被 X 射线激发后变为不稳定态，高能层的电子会跃迁到空穴并同时释放特定能量被探测器接收，因每个元素都有自已特定的能量特征线，通过探测器的识别，计算机软件的计算，即可准确识别该元素，并计算出含量。
l 仪器采用了大面积的晶体硅漂移探测器，分辨率能够达到 125eV, 能分辨 Al( 铝 ) 元素和 Si( 硅 ) 元素
技术参数
l 分析范围：1ppm~100%
l 精度：RSD≤0.05% Ag≥90%
l 光管管流：0-1000μA
l 探测器：美国进口Amptek探测器SDD
l 高压电源：0-50KV
l 光管电压：5-50KV/可选配进口光管
l 分辨率：129±5eV
l 测试时间：30-100s
技术特点
l 测试采用x射线荧光光谱原理，测试过程无需耗材
l 配置高清液晶显示器，测试过程和测试结果一目了然
l 光管垂直照射，硅元素性能得到更强激发
l 设备集成多个usb接口，数据和通讯传输满足多种要求
l 测试下限好,可准确测量 0.01glm2的涂砖量
l 空气光路内部环境得到显著优化,大气环境一样可以直接测试
l 采用大面积碎漂移探测器，测试结果极其准确
l 一键测试/操作简单智能，测试过程使用时间更短，结果更准确
l 快速采用新的模型算法，大大提高了轻元素的测量稳定性
应用领域
l 各种薄膜、淋膜、离型膜等硅油涂布量的测定
l 各种薄膜生产过程中Si/Al元素等比量的测定
l 电子产品保护膜、硅油残余量的测定
l 电子产品硫化物的残留量的测定
